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萬用表DMM源測SMU晶體管反向漏電、擊穿電壓、閾值電壓測試

日期：2014-07-14瀏覽：2353次

吉時利KEITHLEY2000萬用表DMM，2600源測量單元SMU進行晶體管，運放正向電壓、反向漏電、反向擊穿電壓、閾值電壓、β和跨導參數(shù)測試
序由：歐姆定律指出電路元件兩端的電壓 V 與流經(jīng)電路元件的電流 I 和此元件的電阻 R 的關(guān)系：R = V/I。2 端 DMM 通過測試線輸出測試電流zui終流入 DMM 的 HI-LO 輸入端子。這種 2 線歐姆系統(tǒng)適合大多數(shù)電阻測量應用。然而，測試線的 I-R 壓降會導致 (RL) 在較低電阻的測量中準確度明顯降低。４線歐姆測量或 Kelvin 測量通過將兩條高阻抗電壓感測線引出至未知電阻 RX，從而避開了 RL 兩端的電壓降。由于高輸入阻抗導致感測電路中的電流非常小，因此測試線實際上沒有 I-R 壓降，而且在兩個感測端子看到的電壓與 RX 兩端形成的電壓相等。

而美國吉時利KEITHLEY源測量單元SMU可以充當用作電壓表、電流表、歐姆表、電源或源負載以測量電壓、電流、電阻以及I-V特性分析和曲線跟蹤。然而，SMU 的真正優(yōu)勢在于同時進行源和測量——例如在電阻器、二極管、晶體管和運放等基礎元器件測量中，對被測器件（負載）施加電壓并測量負載上通過的電流，或著對負載提供電流并測量負載兩端的壓降。源測量單元或 SMU 能用作獨立的恒壓源或恒流源并用作單獨的電壓表或電流表。SMU 能測量二極管的正向電壓、反向漏電和反向擊穿電壓。SMU 是 I-V 特性分析測試的核心儀器，例如探測二極管和晶體管的基本原理。兩臺 SMU 結(jié)合使用就能進行閾值電壓、β 和跨導參數(shù)測試以及產(chǎn)生半導體曲線族。

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