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基礎(chǔ)信息Product information

產(chǎn)品名稱：吉時利KEITHLEY 4200A-SCS半導(dǎo)體參數(shù)分析儀

產(chǎn)品型號：

更新時間：2024-08-19

產(chǎn)品簡介：

專業(yè)為祖國用戶提供美國吉時利KEITHLEY 4200A-SCS半導(dǎo)體參數(shù)分析儀儀器設(shè)備、測試方案、技術(shù)培訓(xùn)、維修服務(wù)，為上海華東地區(qū)一家以技術(shù)為導(dǎo)向的儀器設(shè)備綜合服務(wù)商。

產(chǎn)品特性Product characteristics

     專業(yè)儀器設(shè)備與測試方案供應(yīng)商——上海堅融實業(yè)有限公司JETYOO INDUSTRIAL & 堅友（上海）測量儀器有限公司JETYOO INSTRUMENTS，為原安捷倫Agilent技術(shù)工程師-堅JET和吉時利KEITHLEY應(yīng)用工程師-融YOO于2011年共同創(chuàng)辦的以技術(shù)支持為特色的代理貿(mào)易公司，志在破舊立新！*進(jìn)口儀器設(shè)備大多廠家僅在國內(nèi)設(shè)銷售點，技術(shù)支持薄弱或者沒有，而代理經(jīng)銷商也只專業(yè)做商務(wù)銷售，不專業(yè)做售前儀器設(shè)備選型配置/測試方案系統(tǒng)搭建，不專業(yè)做售后操作使用培訓(xùn)/維修校準(zhǔn)保養(yǎng)的空白。我們的技術(shù)銷售工程師均為本科以上學(xué)歷，且均有10年以上測試行業(yè)經(jīng)驗，以我們*進(jìn)*的經(jīng)營理念，專業(yè)為祖國用戶提供儀器設(shè)備、測試方案、技術(shù)培訓(xùn)、維修服務(wù)，為上海華東地區(qū)一家以技術(shù)為導(dǎo)向的儀器設(shè)備綜合服務(wù)商。

美國吉時利KEITHLEY 4200A-SCS半導(dǎo)體參數(shù)分析儀應(yīng)用領(lǐng)域

使用4200A-SCS參數(shù)分析儀進(jìn)行范德堡和霍爾電壓測量 - NEW

本應(yīng)用指南介紹了怎樣使用4200A-SCS和范德堡方法測量半導(dǎo)體材料的電阻系數(shù)。 

使用4200A-SCS參數(shù)分析儀進(jìn)行電荷泵測量 - NEW

本應(yīng)用指南介紹了怎樣使用4200A-SCS及選配的4225-PMU超快速I-V模塊(PMU)或4220-PGU脈沖發(fā)生器單元(PGU)進(jìn)行電荷泵測量。 

使用吉時利Model 4200-SCS參數(shù)分析儀進(jìn)行晶圓級可靠性測試

使用4200A-SCS參數(shù)分析儀及斜率方法進(jìn)行準(zhǔn)靜態(tài)C-V測量 - NEW

本應(yīng)用指南介紹了怎樣使用4200A-SCS和斜率方法實現(xiàn)和優(yōu)化準(zhǔn)靜態(tài)C-V測量。 

電阻系數(shù)測量及材料特性分析技術(shù) - NEW

4200A-SCS 電阻系數(shù)測量及材料特性分析技術(shù)本材料特性分析應(yīng)用指南提供了各種技術(shù)小貼士，根據(jù)材料類型、形狀和厚度及電阻幅度，為電阻系數(shù)測量選擇四點共線探頭或范德堡方法。 

使用4200A-SCS參數(shù)分析儀分析MOS電容器的C-V特點

本應(yīng)用指南討論了怎樣使用配備4210-CVU集成C-V選項的Keithley 4200A-SCS參數(shù)分析儀對MOS電容器進(jìn)行C-V測量，另外還介紹了MOS管基本原理，對MOS電容器執(zhí)行C-V測量，提取常用C-V參數(shù)，以及各種測量技術(shù)。 

使用4200A-SCS參數(shù)分析儀在高阻抗器件上執(zhí)行超低頻率電壓-電壓測量 - NEW

本應(yīng)用指南介紹了VLF C-V技術(shù)，闡述了怎樣連接被測器件(DUT)，說明了怎樣使用提供的軟件，描述了怎樣使用Keithley 4200A-SCS參數(shù)分析儀優(yōu)化VLF C-V測量。 

測量通道有效移動性的超快速單脈沖(UFSP)技術(shù) - NEW

本應(yīng)用指南介紹了準(zhǔn)確評估移動性的一種新型超快速單脈沖技術(shù)(UFSP) [4, 5]，同時介紹了怎樣連接器件，怎樣使用4200A-SCS參數(shù)分析儀中的Clarius軟件。 

使用4200A-SCS參數(shù)分析儀優(yōu)化低電流測量 -NEW

本應(yīng)用指南介紹了吉時利為使用4200A-SCS優(yōu)化低電流測量提供的著名的方法和推薦設(shè)備。 

使用4200A-CVIV多開關(guān)和4200A-SCS參數(shù)分析儀在C-V測量和I-V測量之間切換 - NEW

本應(yīng)用指南介紹了怎樣在同一器件上簡便地進(jìn)行I-V測量和C-V測量，而無需改變電纜，避免引入錯誤或損壞器件。 

使用Model 4225-RPM遠(yuǎn)程放大器/開關(guān)，在DC I-V、C-V和脈沖式I-V測量之間自動切換 - NEW

本應(yīng)用指南介紹了怎樣使用4225-RPM在SMU、CVU和PMU之間切換，在單個器件上進(jìn)行DC I-V、C-V和脈沖式I-V測量。特別是，它介紹了硬件連接及怎樣使用系統(tǒng)軟件Clarius配置和執(zhí)行測試。 

使用4200-CVU-PWR C-V功率分析軟件包及4200A-SCS參數(shù)分析儀執(zhí)行高電壓和高電流C-V測量 - NEW

本應(yīng)用指南介紹了怎樣使用Keithley 4200A-SCS、4210-CVU和4200-CVU-PWR C-V功率分析軟件包實現(xiàn)和優(yōu)化高C-V測試。 

半導(dǎo)體特性分析方法和技術(shù) - NEW

4200A-SCS 半導(dǎo)體特性分析方法和技術(shù)應(yīng)用指南本半導(dǎo)體特性分析應(yīng)用指南提供了各種小貼士和技術(shù)，讓您了解DC半導(dǎo)體器件性能，幫助您應(yīng)對可能阻礙測量及引入錯誤的各種挑戰(zhàn)。 

元器件和半導(dǎo)體器件的DC I-V測試

本DC I-V測試應(yīng)用電子指南包含著大量的應(yīng)用指南，介紹了使用吉時利Model 4200-SCS參數(shù)分析儀進(jìn)行DC IV-測試的方法和技巧。Model 4200-SCS提供了各種I-V測量，包括p*泄漏電流測量和µΩ級電阻測量。 應(yīng)用指南 09 Nov 2018

使用4200A-SCS參數(shù)分析儀分析光伏材料和太陽能電池的電氣特點 - NEW

DC和脈沖式電流-電壓(I?V)、電容-電壓(C?V)、電容-頻率(C-f)、驅(qū)動電平電容曲線(DLCP)、四探頭電阻系列(ρ,σ)和霍爾電壓(VH)測量本應(yīng)用指南介紹了怎樣使用4200A-SCS參數(shù)分析儀在光伏電池上進(jìn)行各種電氣測量，包括DC和脈沖式電流-電壓(I?V)、電容-電壓(C?V)、電容-頻率(C-f)、驅(qū)動電平電容曲線(DLCP)、四探頭電阻系列(ρ,σ)和霍爾電壓(VH)測量。 

使用4200A-SCS參數(shù)分析儀和四點共線探頭測量半導(dǎo)體材料的電阻系數(shù) - NEW

本應(yīng)用指南介紹了怎樣使用4200A-SCS及四點共線探頭對半導(dǎo)體材料進(jìn)行電阻系數(shù)測量。 

Touch, Test, Invent，采用下一代電流和電壓源測量儀器

吉時利為電化學(xué)測試方法和應(yīng)用提供的儀器

本應(yīng)用指南討論了如何采用吉時利儀器進(jìn)行電化學(xué)科學(xué)研究。 

非易失性內(nèi)存的脈沖I-V特性分析技術(shù) - NEW

本應(yīng)用指南簡要回顧了非易失性內(nèi)存(NVM)的發(fā)展歷史，概括介紹了分析NVM材料和器件電氣特點所需的測試參數(shù)，闡述了Model 4225-PMU超快速I-V模塊及Model 4225-RPM遠(yuǎn)程放大器/開關(guān)的功能（這是為用于吉時利Model 4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)設(shè)計的兩種儀器選項）。 

使用4200A-SCS參數(shù)分析儀測量碳納米管晶體管(CNT FETs)的電氣特點 - NEW

本應(yīng)用指南介紹了怎樣使用4200A-SCS參數(shù)分析儀優(yōu)化CNT FET上的DC、脈沖式I-V和C-V測量。它詳細(xì)介紹了在測試碳納米管晶體管時探頭布線和連接、保護(hù)、屏蔽、降噪技術(shù)及其他重要測量考慮因素。 

*進(jìn)半導(dǎo)體器件與材料特性分析系 統(tǒng) – 4200-SCS 的技術(shù)進(jìn)展

使用Model 4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)分析光伏材料和太陽能電池的電氣特點

尋找當(dāng)今解決方案，迎接未來納米特性分析挑戰(zhàn)

吉時利正幫助推動越來越多的納米科技應(yīng)用向前發(fā)展。我們?yōu)檎{(diào)查新材料和新器件屬性開發(fā)的解決方案是為直觀操作而設(shè)計的，因此您可以迅速簡便地獲得所需結(jié)果。 手冊 04 Feb 2017

吉時利脈沖解決方案

本指南旨在幫助您確定包括適合您應(yīng)用要求的脈沖源的吉時利解決方案。

分析RF功率晶體管的電氣特點

本應(yīng)用指南概括介紹了通信行業(yè)中較常用的RF晶體管的DC特性分析。盡管新型放大器設(shè)計和材料發(fā)展迅速，但必需指出的是，測試儀器變化并不大，而器件的特點卻發(fā)生了明顯變化。

利用4200-SCS進(jìn)行四探頭電阻與霍爾電壓測試

評估MOSFET器件熱載波感應(yīng)的劣化

本應(yīng)用指南介紹了怎樣使用吉時利Model 4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)，利用所需的關(guān)鍵功能測量熱載波感應(yīng)的劣化。

評估氧化物可靠性

本應(yīng)用指南介紹了怎樣使用吉時利Model 4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)執(zhí)行氧化物可靠性測試。

Model 4225-PMU超快速I-V模塊的超快速I-V應(yīng)用

4225-PMU是為4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)提供的多個模塊之一。根據(jù)應(yīng)用要求，系統(tǒng)可以配置成包括精密DC源測量單元系統(tǒng)、DC預(yù)放、多頻率C-V表和脈沖發(fā)生器，使得4200-SCS成為完整的全內(nèi)置特性分析工具。 應(yīng)用指南 08 Aug 2016

測量通道有效移動性的超快速單脈沖技術(shù)

本應(yīng)用指南介紹了準(zhǔn)確評估移動性的一種新型超快速單脈沖技術(shù)，包括技術(shù)原理、怎樣連接器件、以及怎樣使用Model 4200-SCS中提供的軟件

半導(dǎo)體元器件C-V測試 - 應(yīng)用指南

本C-V測試應(yīng)用電子指南包含大量的應(yīng)用指南，介紹了使用吉時利Model 4200-SCS參數(shù)分析儀的C-V測試方法和技術(shù)。

元器件和半導(dǎo)體器件的脈沖式I-V測試 - 應(yīng)用指南

本脈沖式I-V測試應(yīng)用電子指南包括大量的應(yīng)用指南，介紹了使用Model 4200-SCS參數(shù)分析儀進(jìn)行脈沖式I-V測試的方法和技術(shù)。

ACS集成測試系統(tǒng)，實現(xiàn)基于實驗室的自動化操作

產(chǎn)品開發(fā)周期和測試成本壓力不斷提高，意味著測試工程師必須用更少的投入做更多的工作。通過采用吉時利經(jīng)過驗證的儀器和測量功能，ACS綜合測試系統(tǒng)添補(bǔ)了基于交互式實驗室的工具與高吞吐量生產(chǎn)測試工具之間的重要空白。 應(yīng)用指南 08 Aug 2016

探測集成電路觸點級晶體管

Model 4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)

使用Mode 4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)在高阻抗器件上執(zhí)行超低頻電容-電壓測量

使用晶圓圖參數(shù)選項及Cascade Nucleus探頭軟件和Model 4200-SCS

使用低噪聲Model 4200-SCS進(jìn)行超低電流測量

使用Model 4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)分析MOS電容器的C-V特點

使用Model 4200-CVU-PWR C-V功率分析軟件包及Model 4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)進(jìn)行高電壓和高電流C-V測量

適用于Model 4200-SCS：分析NVM特性，測量VLF C-V，同時進(jìn)行更多的脈沖式或超快速I-V測量

使用Model 4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)進(jìn)行太陽能/光伏電池I-V和C-V測量

使用吉時利Model 4200-SCS監(jiān)測MOSFET器件的通道熱載波(CHC)劣化

使用Model 4200-SCS和Zyvex S100納米操縱裝置進(jìn)行納米線和納米管I-V測量

使用Model 4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)優(yōu)化低電流測量

使用Model 4200分析柵極介電電容-電壓特性

使用4200-CVU電容-電壓單元測量電感

改善Model 4200-SCS的測試速度和整體測試時間

使用Model 4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)和Series 3400脈沖/碼型發(fā)生器進(jìn)行電荷泵測量

使用Model 4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)執(zhí)行電荷泵測量

修改吉時利互鎖電纜236-ILC-3，用于Cascade 12000系列半自動探頭

利用4200-SCS型參數(shù)分析儀，對碳納米管晶體管(CNT FET)進(jìn)行電氣特性分析

親眼見證創(chuàng)新！ 4200A-SCS 是一種可以量身定制、全面集成 的參數(shù)分析儀，可以同步查看電流電壓(I-V)、電容電壓(C-V) 和超快速脈沖式I-V 特性。 4200A-SCS 加快了半導(dǎo)體、材料和工藝開發(fā)速度。

4200A-SCS ClariusTM 基于GUI 的軟件提供了清楚的、不折不 扣的測量和分析功能。憑借嵌入式測量專業(yè)知識和數(shù)百項隨時 可以投入使用的應(yīng)用測試，Clarius Software 可以更深入地挖掘 研究過程，快速而又滿懷信心。

4200A-SCS 參數(shù)分析儀可以根據(jù)不同用戶需求進(jìn)行靈活配 置，不管是現(xiàn)在還是未來，都可以隨時對系統(tǒng)進(jìn)行升級。通過 4200A-SCS 參數(shù)分析儀，通往發(fā)現(xiàn)之路現(xiàn)在變得異常簡便。

美國吉時利KEITHLEY 4200A-SCS半導(dǎo)體參數(shù)分析儀主要性能指標(biāo)

I-V 源測量單元(SMU)

± 210 V/100 mA 或 ± 210 V/1 A 模塊

100 fA測量分辨率

選配前端放大器提供了 10 aA測量分辨率

10 mHz - 10 Hz 超低頻率電容測量

四象限操作

2 線或 4 線連接

C-V 多頻率電容單元(CVU)

AC 阻抗測量 (C-V, C-f, C-t)

1 kHz - 10 MHz 頻率范圍

± 30 V (60 V差分)內(nèi)置DC偏置源，可以擴(kuò)展到± 210 V(420 V 差分)

選配 CVIV 多通道開關(guān)，在 I-V 測量和 C-V 測量之間簡便切換脈沖式I-V 超快速脈沖測量單元(PMU)

兩個獨立的或同步的高速脈沖 I-V 源和測量通道

200 MSa/s，5 ns 采樣率

±40 V (80 V p-p)，±800 mA

瞬態(tài)波形捕獲模式

任意波形發(fā)生器 Segment ARB® 模式，支持多電平脈沖波形，10 ns 可編程分辨率

高壓脈沖發(fā)生器單元(PGU)

兩個高速脈沖電壓源通道

±40 V (80 V p-p)，± 800 mA

任意波形發(fā)生器 Segment ARB®模式，支持多電平脈沖波形，10 ns 可編程分辨率I-V/C-V 多通道開關(guān)模塊 (CVIV)

在 I-V測量和 C-V 測量之間簡便切換，無需重新布線或抬起探針

把 C-V測量移動到任意端子，無需重新布線或抬起探針遠(yuǎn)程前端放大器/ 開關(guān)模塊(RPM)

在 I-V 測量、C-V 測量和超快速脈沖 I-V 測量之間自動切換

把 4225-PMU的電流靈敏度擴(kuò)展到數(shù)十皮安

降低電纜電容效應(yīng)

為材料、半導(dǎo)體器件和工藝開發(fā)提供優(yōu)秀的參數(shù)分析儀

使用強(qiáng)大的Clarius 軟件，可以更加快速的完成I-V, C-V 和脈沖I-V 測試，結(jié)果清晰明了

直流電流-電壓

(I-V) 范圍

10 aA - 1A

0.2 µV - 210 V

電容-電壓

(C-V) 范圍

1 kHz - 10 MHz

± 30V 直流偏置

脈沖 I-V

范圍

±40 V (80 V p-p)，±800 mA

200 MSa/s，5 ns 采樣率

大膽發(fā)現(xiàn)從未如此容易。 4200A-SCS 參數(shù)分析儀可將檢定和測試設(shè)置的復(fù)雜程度降低高達(dá) 50%，提供清晰且不折不扣的測量和分析功能。 另外，嵌入式測量專業(yè)知識可提供測試指南并讓您對結(jié)果充滿信心。

特點

內(nèi)置測量視頻采用英語、中文、日語和韓語

使用數(shù)百個用戶可修改應(yīng)用測試開始您的測試

自動實時參數(shù)提取、數(shù)據(jù)繪圖、算數(shù)函數(shù)

測量、 切換、 重復(fù)。

4200A-CVIV 多通道切換模塊自動在 I-V 和 C-V 測量之間切換，無需重新布線或抬起探頭端部。 與競爭產(chǎn)品不同，四通道 4200A-CVIV 顯示器提供本地可視查看，可快速完成測試設(shè)置，并在出現(xiàn)意想不到的結(jié)果時輕松排除故障。

無需重新布線即可將 C-V 測量移動到任何設(shè)備終端

用戶可配置低電流功能

個性化輸出通道名稱

查看實時測試狀態(tài)

檢定、 自定義、 大化。

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簡單地說，4200A-SCS 可以*自定義且全面升級，您可以對半導(dǎo)體設(shè)備、新材料、有源/無源組件、晶片級可靠性、故障分析、電化學(xué)或幾乎任何類型的樣本執(zhí)行電氣檢定和評估。

NBTI/PBTI 測試

隨機(jī)電報噪聲

非易失內(nèi)存設(shè)備

穩(wěn)壓器應(yīng)用測試

帶分析探測器和低溫控制器的集成解決方案。

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4200A-SCS 參數(shù)分析儀支持許多手動和半自動晶片探測器和低溫控制器，包括 Cascade MicroTech、Lucas Labs/Signatone、MicroManipulator、Wentworth Laboratories、LakeShore Model 336 低溫控制器。

“點擊”測試定序

“手動”探測器模式測試探測器功能

假探測器模式無需移除命令即可實現(xiàn)調(diào)試

降低成本并保護(hù)您的投資

產(chǎn)品技術(shù)資料 型號 說明

查看規(guī)格書 4200A-SCS-PK1 

高分辨率 IV 套件 210V/100mA，0.1 fA 分辨率

對于兩端和三端設(shè)備，MOSFET、CMOS 檢定套件 4200A-SCS-PK1 包括：

4200A-SCS 參數(shù)分析儀

(2) 4200-SMU 模塊

(1) 4200-PA 前置放大器

(1) 8101-PIV 測試夾具與采樣設(shè)備

4200A-SCS-PK2 

高分辨率 IV 和 CV 套件 210V/100mA，0.1 fA 分辨率，1kHz - 10MHz

對于高 K 電解質(zhì)，深亞微米 CMOS 檢定套件 4200A-SCS-PK2 包括：

4200A-SCS 參數(shù)分析儀

(2) 4200-SMU 模塊

(1) 4200-PA 前置放大器

(1) 4210-CVU 電容-電壓模塊

(1) 8101-PIV 測試夾具與采樣設(shè)備

4200A-SCS-PK3 

高分辨率和高功率 IV 和 CV 套件 210V/1A，0.1 fA 分辨率，1kHz - 10MHz

對于功率設(shè)備、高 K 電解質(zhì)，深亞微米 CMOS 設(shè)備檢定套件 4200A-SCS-PK3 包括：

4200A-SCS 參數(shù)分析儀

(2) 4200-SMU 模塊

(2) 4210-SMU

(2) 4200-PA 前置放大器

(1) 4210-CVU 電容-電壓模塊

(1) 8101-PIV 測試夾具與采樣設(shè)備

4200-BTI-A 

超快 NBTI/PBTI 套件 用于使用* CMOS 技術(shù)套件進(jìn)行復(fù)雜的 NBTI 和 PBTI 測量 4200-BTI-A 包括：

(1) 4225-PMU 超快 I-V 模塊

(2) 4225-RPM 遠(yuǎn)程前置放大器/開關(guān)模塊

自動化檢定套件 (ACS) 軟件

超快 BTI 測試項目模塊

電纜

半導(dǎo)體可靠性

在執(zhí)行復(fù)雜的可靠性測試時，4200A-SCS 可以幫您處理復(fù)雜的編碼工作。 內(nèi)含熱載波注入劣化 (HCI) 等項目，使您能夠快速開始設(shè)備分析。

評估 MOSFET 設(shè)備的熱載波感應(yīng)劣化

特點

只需一組測試，即可滿足您的直流 I-V、C-V 和脈沖測量需求

支持多種探頭站和外部儀器

循環(huán)系統(tǒng)易于使用，允許在無需編碼的情況下重復(fù)測試

提供適合高阻抗應(yīng)用的 C-V 測量功能

采用 Keithley 的自定義極低頻 C-V 技術(shù)分析高電阻樣本的電容。 該技術(shù)可通過僅使用源測量單元 (SMU) 儀器實現(xiàn)應(yīng)用，同時可與 4210-CVU 結(jié)合使用，執(zhí)行更高頻率測量。

4200A-SCS 參數(shù)分析儀可在高阻抗設(shè)備上執(zhí)行極低頻電容-電壓測量

簡化 MOSFET/MOSCAP 設(shè)備檢定的提示和技術(shù)

0.01 ~ 10 Hz 頻率范圍，1 pF ~ 10 nF 靈敏度

3½ 位典型分辨率，小典型值 10 fF

非易失內(nèi)存

通過全面脈沖 I-V 檢定在測試中利用新技術(shù)。 4200A-SCS 為 NVRAM 技術(shù)提供支持和即用型測試，從浮動門電路閃存到 ReRAM 和 FeRAM，不一而足。 電流和電壓雙源和測量功能同時支持瞬態(tài)和 I-V 域檢定。

非易失內(nèi)存技術(shù)脈沖 I-V 檢定

VCSEL 測試

4200A-SCS 中的多個并行源測量單元 (SMU) 儀器可簡化激光二極管測試。 僅使用一臺機(jī)器連接即可生成 LIV（光強(qiáng)-電流-電壓）曲線。 高級探頭站和開關(guān)支持使您能夠使用相同的儀器對單個二極管或整個陣列進(jìn)行晶圓生產(chǎn)測試。 SMU 可配置為高達(dá) 21 W 容量，適用于多種連續(xù)波 (CW) VCSEL 應(yīng)用。

納米級設(shè)備檢定

4200A-SCS 的集成儀器功能可簡化碳納米管等納米級電子器件開發(fā)方面的測量要求。 從預(yù)配置測試項目開始著手，逐步擴(kuò)大您的研究工作范圍。 SMU 的脈沖源模式可幫助緩解過熱問題，數(shù)秒內(nèi)即可完成與低電壓 C-V 和超快速脈沖直流測量的組合。

碳納米管晶體管 (CNT FET) 的電氣檢定

材料電阻率

使用集成了 SMU 的 4200A-SCS，可通過四點同軸探頭或范德堡法輕松測量電阻率。內(nèi)含測試可自動重復(fù)執(zhí)行范德堡計算，節(jié)省您寶貴的研究時間。10aA 的大電流分辨率和大于 10­­­­16 歐姆的輸入阻抗可提供更準(zhǔn)確和精準(zhǔn)的結(jié)果。

4200A-SCS 參數(shù)分析儀和四點同軸探頭可用于執(zhí)行半導(dǎo)體材料電阻率測量

4200A-SCS 參數(shù)分析儀可用于執(zhí)行范德堡和霍爾電壓測量

MOSFET 檢定

4200A-SCS 可容納所有必要的儀器，用于通過組件或晶圓測試執(zhí)行全面的 MOS 設(shè)備檢定。 內(nèi)含測試和項目可以解決 MOSCap 的氧化物厚度、門限電壓、摻雜濃度、移動離子濃度等問題。 只需觸摸一個儀器盒中的按鈕，即可運(yùn)行所有這些測試。

4200A-SCS 參數(shù)分析儀可用于執(zhí)行 MOS 電容 C?V 檢定

模塊 說明

4200-BTI-A 超快速 BTI 包

4200-PA 遠(yuǎn)程預(yù)放大器模塊

4200-SMU 中功率源測量單位

4200A-CVIV I-V/C-V 多開關(guān)模塊

4210-CVU 電容-電壓單位

4210-SMU 大功率源測量單元

4220-PGU 高電壓脈沖發(fā)生器單元

4225-PMU 超快速脈沖測量單位

4225-RPM 遠(yuǎn)程預(yù)放大器/開關(guān)模塊

4200-SMU-R 可現(xiàn)場更換的 MPSMU

4210-SMU-R 可現(xiàn)場更換的 HPSMU